2． EDO DRAM（EXTENDED DATA OUT DRAM，扩充数据输出DRAM）
传统的DRAM和FPM DRAM 在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据。而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM对FPM DRAM 的改进主要是缩短等待输出地址的时间。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此可以减小等待时间。从另一个角度说，EDO DRAM 在读写数据的同时进行下一地址的准备工作，提高了工作效率。后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。
3． BEDO DRAM （BURST EDO DRAM ，突发式EDO DRAM）
BEDO DRAM是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取。BEDO 的主要加强之处是在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。BEDO DRAM可以一次存取一批数据而EDO DRAM只能存取一组数据，所以BEDO DRAM比EDO DRAM更快。但BEDO DRAM 在内存市场上只是昙花一现，只有很少的主板支持（如VIA APOLLO VP2），很快就被DRAM替代了。
4． SDRAM（SYNCHRONOUS DRAM）
SDRAM 的最大特点就是可以与CPU的外频同步，可以取消等待周期，减少了数据传输的延迟。而此前的DRAM 都使用异步方式工作，由于没有与系统的外频同步，在存取数据时，系统必须等待若干时序才能接受和送出数据，如SDRAM可以使存储器控制器知道在哪一个时钟脉冲周期使数据请求使能，因此数据可在脉冲沿来到之前便开始传输，而EDO DRAM每隔2时钟才开始传输，FPM DRAM每隔3个时钟脉冲周期才开始传输，从而制约了传输率。当CPU的频率越来越高后，异步DRAM的数据传输率就成为系统的瓶颈，而且，随着频率的提高，异步DRAM与SDRAM的性能差距会越来越大。
对DRAM而言，除了容量，最重要的指标就是速度了。一般FPM DRAM和EDO DRAM的速度在0~70ns之间，SDRAM的速度在10 ns左右。由于SDRAM的工作速度与系统的外频保持一致，所以SDRAM的速度标识可以换算成工作频率，如100 ns的SDRAM的频率是1 s/10 ns=100 MHz，同理，8 ns的SDRAM的工作频率是125 MHz，12 ns的SDRAM 的工作频率是83 MHz，15ns的SDRAM的工作频率是66 MHz。由于目前流行的是PC100的SDRAM，读者在采购内存时绝大多数希望选购符合PC100规范的SDRAM。PC100规格非常复杂，我们应该了解的部分主要是内存条上应带SPD，内存工作频率为100 MHz时，CL应为2或3个clk，最好为2 clk，tAC必须不超过6 ns等。
除了以上PC100规范要求的一些性能指标外，一个真正的发烧友还应该关心一下SDRAM芯片其他几个很重要的指标：如芯片的输出位宽、功耗（电压）等，因为这些指标也决定了内存的超频潜力--给内存超频的时候还是很多的，即使不超频，性能好的内存也意味着更高的稳定裕度和更好的升级潜力。
（二） SRAM
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,管道突发SRAM)，还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
内存基础知识